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意法半(ban)導體新推(tui)出的SLLIMM?-nano智能功(gong)率模(mo)塊(IPM)引入新的封裝(zhuang)類型，并集成更多元器(qi)件，加(jia)快300W以下低功(gong)率電機驅動(dong)器(qi)研發，簡化組裝(zhuang)過程。

3A和5A 模塊內置當前*********的(de)(de)600V超(chao)結MOSFET，最大限度提升空(kong)氣壓(ya)縮機、風扇、泵等設(she)備(bei)的(de)(de)能效。各種(zhong)直列(lie)引腳或Z形(xing)引腳封裝有助于(yu)優化(hua)空(kong)間(jian)(jian)占用率，確保所需的(de)(de)引腳間(jian)(jian)距。內部開孔選項讓低價散(san)熱(re)器(qi)的(de)(de)安裝更(geng)容易。此(ci)外，發射極(ji)開路(lu)輸出分(fen)開設(she)計可簡化(hua)PCB板單路(lu)或三路(lu)Shunt (分(fen)流電(dian)阻)電(dian)流監(jian)視走線(xian)。

每個IPM模塊都包含由(you)六支MOSFET組成的三相半橋和(he)一個高壓(ya)柵(zha)驅動芯(xin)片。新增功(gong)能有(you)助(zhu)于簡(jian)化保(bao)護(hu)(hu)(hu)電(dian)路(lu)和(he)防錯(cuo)電(dian)路(lu)設計(ji)(ji)，包括一個用于檢測電(dian)流的未使用的運放(fang)、用于高速錯(cuo)誤保(bao)護(hu)(hu)(hu)電(dian)路(lu)的比較器和(he)用于監視溫(wen)度的可(ke)(ke)選的NTC (負溫(wen)度系數(shu))熱敏電(dian)阻(zu)，還集成一個自舉(ju)二極管，以(yi)降低(di)物(wu)料清單(BOM)成本，簡(jian)化電(dian)路(lu)板(ban)布局(ju)設計(ji)(ji)。智(zhi)能關(guan)斷電(dian)路(lu)可(ke)(ke)保(bao)護(hu)(hu)(hu)功(gong)率開關(guan)管，欠壓(ya)鎖保(bao)護(hu)(hu)(hu)(UVLO)預防低(di)Vcc或Vboot電(dian)壓(ya)引起的功(gong)能失(shi)效(xiao)。

超結(jie)MOSFET在(zai)25°C時通態(tai)電(dian)(dian)(dian)阻只有(you)1.0?，最大(da) 1.6? ，低電(dian)(dian)(dian)容和低柵(zha)電(dian)(dian)(dian)荷可(ke)最大(da)限度(du)降低通態(tai)損耗(hao)和開(kai)關損耗(hao)，從而提升20kHz以(yi)下硬開(kai)關電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)能(neng)效，包括(kuo)各種工業電(dian)(dian)(dian)機驅動(dong)器(qi)，準許低功率(lv)應(ying)用(yong)無(wu)需使用(yong)散熱器(qi)。此外，優(you)化的(de)(de)開(kai)關di/dt和dV/dt上(shang)升速(su)率(lv)確保EMI干(gan)擾處于一個較(jiao)低的(de)(de)級(ji)別，可(ke)以(yi)進一步簡(jian)化電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)設計布局。

新模塊(kuai)的最高額定結溫(wen)是150°C，取得(de)了UL 1557認證，電(dian)絕緣(yuan)級別(bie)高達1500Vrms/min。